| 摘要 |
<p>강유전체 박막 캐패시터를 메모리 캐패시터로서 이용하는 반도체 메모리 소자에 있어서, 고품질이고 제조 수율이 높은 반도체 메모리 소자를 실현한다. 강유전체 박막 캐패시터를 메모리 캐패시터로서 이용하는 반도체 메모리 소자에 있어서, 캐패시터 중의 강유전체 박막의 결정 입자 직경의 상대 표준 편차를 13% 이하로 함으로써, 높은 잔류 분극값이나 작은 막 피로 (큰 재기록 기능 횟수)를 얻는 것을 가능하게 하여, 고품질로 제조 수율이 높은 반도체 메모리 소자를 실현한다.</p> |
