GROWING SYSTEM FOR UNIFORMLY GROWING THIN FILM OVER SEMICONDUCTOR WAFER THROUGH ROTATION AND PROCESS USED THEREIN

摘要

간격이 떨어져 있는 반도체 웨이퍼 (15a/15b) 를 이송하기 위해 평행하게 연장된 복수의 메시 반송 벨트 (12a-12g), 반송 벨트 상에 반응 영역을 생성하기 위한 복수의 메시 반송 벨트 (12a-12g) 상에 배치된 반응 가스 분사기 (13b) 및 복수의 반송 벨트를 이동시키기 위한 구동 장치 (12h) 를 구비하는 대기압 화학 기상 증착 시스템에 있어서, 구동 장치 (12h) 는 반송 벨트 (12a-12g) 를 상이한 속도로 이동시켜, 반응 영역에서 각 반도체 웨이퍼 (15a/15b) 를 회전시킴으로써, 반도체 웨이퍼의 전면을 반응 가스에 균일하게 노출시키고, 이는 반응 영역에서 상이한 증착 조건을 생성시킨다.