发明名称 MEMBRANE MASK FOR PROJECTION LITHOGRAPHIC
摘要 <p>본 발명에 따라 하전 입자 빔 리소그래피 공정에 사용되는 개선된 산란형 마스크가 제공되는데, 마스크는 멤브레인 부분 및 산란 부분을 포함하고, 멤브레인 부분은 도전성 재료로 제조되거나 또는 그 중 하나가 도전성을 지니는 다수의 재료로 제조된다. 멤브레인 부분의 도전성 속성은 마스크 내의 전하의 축적을 완화시켜 공정 중에 마스크로부터 웨이퍼로 전달된 하전 입자 패턴의 선명도를 강화하며 시스템에서 얻어진 왜곡을 감소시킨다.</p>
申请公布号 KR19990082868(A) 申请公布日期 1999.11.25
申请号 KR19990011551 申请日期 1999.04.02
申请人 루센트 테크놀러지스 인크 发明人 리들제임스알렉산더;노벰브르안소니에드워드;위버게리로버트
分类号 H01L21/027;G03F1/20 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
主权项
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