| 摘要 |
<p>SOI 제조 방법은. 실리콘 산화막을 실리콘 기판 (1) 의 표면에 형성하는 단계, 상기 실리콘 산화막 (3) 을 통해 상기 실리콘 기판 (1) 내에 수소 이온 (4) 을 주입하는 단계, 상기 실리콘 기판 (1) 및 지지 기판 (2) 을 서로 겹쳐서 상기 실리콘 산화막 (3) 을 상기 지지 기판 (2) 과 접촉시키는 단계, 및 이렇게 겹쳐진 실리콘 기판 (1) 과 지지 기판 (2) 을 열처리하여, 상기 실리콘 기판 (1) 을 상기 수소 이온 (4) 이 주입된 영역에서 2 부분으로 분리시켜, 상기 2 부분들 중 하나는 상기 실리콘 산화막 (3) 상에 SOI 활성층 (5) 으로서 남아 있는 단계를 구비하며, 상기 실리콘 기판 (1) 은 상기 열처리에서 상기 산소 함유 영역 (6) 내에 산소가 침전되지 않는 농도의 산소를 함유하는 산소 함유 영역 (6) 을 갖는 것을 특징으로 한다. 이 방법은 SOI 활성층 내의 결정 결함 밀도를 상당히 감소시키며, 이 방법에 따라 제조된 기판은 그 위에 전자 소자를 제조하는데 이용될 수 있다.</p> |
