| 摘要 |
<p>콘택홀이 반도체 기판 상의 제 1 층간 절연막에 형성된다. 콘택홀이 캐비티로 유지되면서, 제 2 층간 절연막이 제 1 층간 절연막 상에 형성된다. 이후, 배선 그루브 패턴을 갖는 레지스트막이 제 2 층간 절연막 상에 형성된다. 이러한 레지스트막을 마스크로 사용하여, 제 2 층간 절연막이 에칭된다. 그와 같이 함으로써, 배선 그루브가 제 2 층간 절연막에 형성되고, 캐비티로 유지된 콘택홀이 개방됨으로써, 배선 그루브 및 콘택홀이 실제적으로 동시에 형성된다. 그러므로, 제 1 층간 절연막과 제 2 층간 절연막 사이에 형성된 질화막은 단지 에칭 스토퍼로서 작용한다. 따라서, 질화막을 종래 질화막보다 얇게 형성시킬 수 있거나 혹은 질화막을 제거할 수 있다. 그러므로, 층간 배선의 용량을 감소시킬 수 있다.</p> |
