| 摘要 |
<p>선택트랜지스터와 셀트랜지스터 사이의 불순물 확산영역의 손상을 방지하고 선택트랜지스터의 저항을 감소시키고, 셀사이즈가 감소하는 것을 방지하기에 알맞은 비휘발성 메모리소자 및 그의 제조방법을 제공하기 위한 것으로써, 이와 같은 목적을 달성하기 위한 비휘발성 메모리소자는 선택트랜지스터영역과 셀트랜지스터영역으로 정의된 반도체기판, 상기 선택트랜지스터영역에 일방향의 라인형으로 형성된 제 1 선택게이트라인과 상기 셀트랜지스터영역에 일정패턴으로 형성된 플로팅게이트, 상기 제 1 선택게이트라인상에 일정간격을 갖고 적층되어 형성되는 절연막과 제 2 선택게이트라인 및 상기 플로팅게이트를 포함한 상부에 상기 제 1 선택게이트라인과 같은 방향으로 적층되어 형성되는 절연막 콘트롤게이트라인, 상기 콘트롤게이트라인과 상기 제 1 선택게이트라인 양측 반도체기판의 일영역에 형성된 불순물영역, 상기 제 1 선택게이트라인과 상기 불순물영역상에 제 1 콘택홀을 갖는 제 1 평탄보호막, 상기 제 1 콘택홀내에 형성된 콘택플러그, 상기 콘택플러그와 콘택되는 전도층패턴, 상기 제 1 선택게이트라인 상부의 상기 전도층패턴에 제 2 콘택홀을 갖는 제 2 평탄보호막, 상기 제 2 콘택홀 및 상기 제 2 평탄보호막상에 일방향을 갖고 형성된 배선층을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.</p> |
