发明名称 SPIN TUNNEL MAGNETO-RESISTANCE EFFECT TYPE MAGNETIC SENSOR AND PRODUCTION METHOD THEREOF
摘要 <p>스핀 터널 자기 저항 효과(TMR)을 이용하는 자기 센서에서, 터널 절연막, 터널 절연막의 1개의 면 상에 형성된 제1 자성층, 터널 절연막의 다른 면에 형성된 제2 자성층, 제2 자성층의 자화를 고정하기 위한 반강자성체를 포함한 제3 자성층, 적어도 제1 및 제3 자성층중 하나 위에 형성된 소정의 영역에서 개구를 가진 제2 절연막, 제2 절연막의 개구에서만 제1 및 제3 자성층중 하나와 전기적으로 접속된 제1 전극과, 적어도 제1 및 제2 자성층과 제1 절연층을 개재한 제1 전극과의 사이에 전류를 흘리기 위한 제2 전극을 가진다.</p>
申请公布号 KR19990083593(A) 申请公布日期 1999.11.25
申请号 KR19990015381 申请日期 1999.04.29
申请人 null, null 发明人 고무로마따히로;가와또요시아끼
分类号 G01R33/09;G11B5/00;G11B5/39;H01L43/08 主分类号 G01R33/09
代理机构 代理人
主权项
地址