METHOD FOR MAKING FIELD EFFECT DEVICES AND CAPACITORS WITH IMPROVED THIN FILM DIELECTRICS AND RESULTING DEVICES
摘要
<p>본 발명은 실리콘 기판 상부에 높은 유전 상수 재료의 박막을 증착하고, 구조물을 플라즈마에 노출시킨 후, 상부 전극을 형성함으로써 형성되는 전자 소자에 관한 것이다. 플라즈마 처리는 유전체/실리콘 계면에서 전하 트랩(charge trap) 밀도를 실질적으로 감소시킨다. 바람직하게는 상부 전극을 형성하기 전에 질소 함유 재료로 유전막을 패시베이션(passivation)하여 전극과 유전체 사이에 상호 확산을 방지한다.</p>
