METHOD FOR PORDUCING SILICON SINGLE CRYSTAL

摘要

본 발명은 초크랄스키 법(Czochralski method)에 의해 종결정을 융액에 접촉시키고, 네킹작업을 수행시키며, 단결정 잉고트(ingot)를 육성시키는 단계를 포함하는 실리콘 단결정 제조 방법에서, 네킹작업중에 취입되는 격자간 산소농도를 1ppma (JEIDA) 이상으로한다. 네킹동작이 수행되는 씨딩법(seeding method)에서 무전위 결정제조의 성공율이 향상되는 실리콘 단결정제조방법이 제공된다.