半导体装置

摘要

一种半导体装置,在与基准电压V_ss连接的P型半导体基板上,相隔一定间隔形成第1个n型高浓度扩散层以及第2个n型高浓度扩散层,在第l个n型高浓度扩散层的直下区域形成第1个n型低浓度扩散层,同时在第2个n型高浓度扩散层的直下区域形成第2个n型低浓度扩散层。第1金属层以及高阻抗导电层与输入端子和第1个n型高浓度扩散层连接,第2金属层与供给基准电压V_ss的基准电压端子VSP和第2个n型高浓度扩散层连接。

主权项

1．一种半导体装置，其特征是包括形成在第1导电型的半导体基板上的第2导电型的第1高浓度扩散层、在所述半导体基板上与所述第1高浓度扩散层相隔一定间隔形成的，施加基准电压的第2导电型的第2高浓度扩散层、与为向输入电路或者输入输出电路输入输入信号的输入端子和所述第1高浓度扩散层电连接的导电层、在所述半导体基板的所述第1高浓度扩散层的直下区域形成的第2导电型的第1低浓度扩散层。