半导体集成电路器件的制造工艺和半导体集成电路器件

摘要

轻度氧化工艺技术,在采用多晶硅及金属栅结构和双栅结构的CMOS LSI中,向半导体晶片Al的主表面提供含氢气及由氧气和氢气合成的蒸汽的混合气体,在难熔金属膜基本上不被氧化,且包含于构成栅极一部分的p型多晶硅膜中的硼不会通过栅氧化膜扩散到半导体衬底的低热负载条件下,进行热处理,以改善栅极边缘部分之下被腐蚀掉的栅绝缘膜的外形。

主权项

1·一种制造半导体集成电路器件的工艺，包括以下步骤：(a)在包含形成于半导体晶片主表面的硅表面上的氧化硅膜的栅绝缘膜之上，形成多晶硅膜；(b)直接或通过阻挡层在所说多晶硅膜上形成主要包括钨的难熔金属膜；(c)构图所说多晶硅膜和所说难熔金属膜，从而形成栅极；及(d)在所说步骤(c)后，在含氢气和蒸汽的混合气体气氛中，对所说硅表面和位于对应于所说栅极边缘部分的部分中的掺有硼的所说多晶硅膜进行热氧化处理。