| 发明名称 | 半导体元件、及其驱动方法和驱动装置 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提高电流密度的稳定性,阻止电流集中和振荡,以实现可靠性的提高。本发明通过在关断时,在主电流移动至下降时间之前,将控制电极的电压下降至半导体元件的阈值电压Vth以下,提供在主电极间的电压上升前停止电子注入,可以提高电流密度的稳定性,阻止电流集中和振荡等来提高可靠性的半导体元件、及其驱动方法和驱动装置。 | ||
| 申请公布号 | CN1236183A | 申请公布日期 | 1999.11.24 |
| 申请号 | CN99106655.3 | 申请日期 | 1999.05.18 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 大村一郎;斋藤凉夫;大桥弘通;土门知一;杉山公一;西蒙·爱希尔;小仓常雄 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1．一种双极半导体元件的驱动方法，该双极半导体元件是带有高压侧主电极、低压侧主电极和控制电极的绝缘栅型的双极半导体元件，其特征在于，该驱动方法包括在关断所述双极半导体元件时，在所述主电极间流动的主电流移动至下降时间之前，使所述控制电极的电压下降至所述双极半导体元件的阈值电压Vth以下的工序。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||