表面微机械的多次局部氧化

摘要

多LOCOS(局部氧化)工艺加工衬底表面,以形成彼此垂直隔离的一系列平面区。一个例示的工艺为每次LOCOS操作形成一个硬掩模。另一例示工艺包括形成氮化硅掩模层,并重复改变掩模层的图形。图形的每次改变对应于要形成的一个平面区;每次改变后,在穿过掩模层的开口中生长氧化物。氧化物的生长消耗部分衬底,提供对应于该图形的平面级与下一较高平面级间的垂直距离。由掩模图形暴露的衬底区可以保持暴露,以便随后的LOCOS操作保持先前建立的两级间的距离。硬掩模层可以包括多晶硅层,用于保护氮化硅层不在重复的LOCOS操作中变成氧化物。

主权项

1．一种加工衬底表面的方法，包括：形成具有开口的第一硬掩模，所说开口位于要求作为所说表面的最下级的区域上；在第一硬掩模中的开口之下的衬底区域中形成第一氧化物区；及去掉第一氧化物区，以在衬底表面上形成凹部。