| 发明名称 |
Making a MOS transistor having gate double sidewall spacers, e.g. for a DRAM |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2337634(A) |
申请公布日期 |
1999.11.24 |
| 申请号 |
GB19990009490 |
申请日期 |
1999.04.23 |
| 申请人 |
* SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. |
发明人 |
WON-SUK * YANG;KI-NAM * KIM;CHANG-HYUN * CHO |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/8242;H01L27/092;H01L27/108;(IPC1-7):H01L21/336;H01L21/823;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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