发明名称 A BIPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SEMICONDUCTOR LAYERS OF SiC AND A METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE OF SiC
摘要
申请公布号 EP0958610(A1) 申请公布日期 1999.11.24
申请号 EP19970932077 申请日期 1997.06.25
申请人 ABB RESEARCH LTD. 发明人 BAKOWSKI, MIETEK;BLEICHNER, HARRY;GUSTAVSSON, ULF
分类号 H01L21/04;H01L29/24;H01L29/739;(IPC1-7):H01L29/24;H01L29/70;H01L21/20 主分类号 H01L21/04
代理机构 代理人
主权项
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