| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen Drain- oder Kollektorzone für monolythische Halbleiteranordnungen |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69131390(T2) |
申请公布日期 |
1999.11.18 |
| 申请号 |
DE1991631390T |
申请日期 |
1991.04.11 |
| 申请人 |
CONSORZIO PER LA RICERCA SULLA MICROELETTRONICA NEL MEZZOGIORNO, CATANIA |
发明人 |
ZAMBRANO, RAFFAELE |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/74;H01L21/8222;H01L21/8249;H01L27/06;H01L29/08;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/74;H01L29/06 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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