Halbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen derselben

摘要

Auf einer SOI-Schicht (3) wird eine erste Isolationsschicht (81) und eine zweite Isolationsschicht (82) in der angegebenen Reihenfolge schichtweise derart aufgebracht, daß eine Gateelektrode (6) und eine Seitenwand (5) bedeckt werden, und die erste Isolationsschicht (81) sowie die zweite Isolationsschicht (82) werden mit unterschiedlichen Ätzraten trockengeätzt (wobei die Ätzrate für die zweite Isolationsschicht (82) kleiner gewählt wird). Anschließend wird ein freigelegter Abschnitt der ersten Isolationsschicht (81) durch Naßätzen entfernt. Durch diese Schritte wird ein Silizidschutzabschnitt (8) lediglich auf einer flachen Oberfläche (3S) der SOI-Schicht (3) ausgebildet, und Silizidschichten (71 und 72) werden in n·+·-Schichten (12 und 13) ausgebildet. Mit Hilfe dieser Struktur kann bei der Ausbildung einer SiO¶2¶-Schicht als Silizidschutz ein Ätzen der SOI-Schicht verhindert werden.