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发明名称
HIGHLY INTEGRATED SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
摘要
申请公布号
KR100230398(B1)
申请公布日期
1999.11.15
申请号
KR19960069869
申请日期
1996.12.21
申请人
SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD.
发明人
OH, YONG-CHEOL;JEONG, KYU-WHAN;LEE, WON-HYOUNG
分类号
H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/02
主分类号
H01L27/108
代理机构
代理人
主权项
地址
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