| 发明名称 |
FABRICATION METHOD OF LOW TEMPERATURE POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR100230359(B1) |
申请公布日期 |
1999.11.15 |
| 申请号 |
KR19960010275 |
申请日期 |
1996.04.04 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD. |
发明人 |
LEE, JOO-HYUNG |
| 分类号 |
H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/786 |
主分类号 |
H01L29/786 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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