PT LAYER ETCHING METHOD IN SEMICONDUCTOR PROCESSING,申请号KR19960055051-传众专利搜索

发明名称	PT LAYER ETCHING METHOD IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
摘要
申请公布号	KR100230381(B1)	申请公布日期	1999.11.15
申请号	KR19960055051	申请日期	1996.11.18
申请人	SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD.	发明人	ABATCHEV, MIZARFER K.;YOO, WON CHONG
分类号	H01L21/306;(IPC1-7):H01L21/306	主分类号	H01L21/306
代理机构		代理人
主权项
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