一种缩小化矩形双频微带天线设计

摘要

在本发明中，我们提出一种新的缩小化矩形双频微带天线设计，此项设计是在矩形微带天线中的微片金属片之辐射边附近嵌入一对与其边长几乎相同尺寸的细狭长槽孔，并且在非辐射边上嵌入五个细槽缝「参阅图式中第１图所示」。天线的馈入方式为同轴线馈入方式为之。此种缩小化矩形双频微带天线的设计，可藉由调整细槽缝的长度使其两个共振频率的比值约为1.8至2.4之间，且馈入点选择在适当位置以达50欧姆输入阻抗匹配的情形未达成，另外由于细槽缝之嵌入会造成表面电流路径的增加，使得共振频率也随之明显地降低，因此此项设计可得到缩小化的结果。

主权项

1.一种缩小化矩形双频微带天线,系指在矩形微带天线之微片金属片(microstrip patch)的辐射边上嵌入一对细狭长槽孔,并在非辐射边嵌入五个等间距的细长槽缝,且在适当位置以同轴线馈入方式激发具平行极化且辐射特性相似的两个激发模态,以得到双频辐射。2.如申请专利范围第1项所述之矩形双频微带天线,其中矩形微片金属片制作在一个接地基座层(substratelayer)上。3.如申请专利范围第1项所述之矩形双频微带天线,其中辐射边上之细狭长槽孔的长度为辐射边长的0.9至0.95倍。4.如申请专利范围第1项所述之矩形双频微带天线,其中位于非辐射边上之细狭长槽缝的长度为辐射边长的0.25至0.55倍。图式简单说明:第一图为本发明之缩小化矩形双频微带天线的结构图,在其矩形微片金属片(1)的辐射边处,蚀刻一细狭长槽孔(2),在其矩形微片金属片的非辐射边处,蚀刻五个细狭长槽缝(3),矩形微片金属片制作在一个接地基底层上面,同轴馈线(4)穿过接地金属片(5)及基座层(6)与矩形微片金属片连接;当同轴馈线在A点处(7)可产生双频辐射。第二图为第一图之矩形双频微带天线在不同的槽缝边长时,两个激发模态之反射损耗(return loss)与频率关系之实验测量结果。第三图为本发明天线两个激发模态之共振频率及其比値与细槽缝长度关系之实验测量结果。第四图为第三图之天线在细槽缝长度为0及1.0公分时,两个激发模态之辐射场型(radiation pattern)实验测量结果,粗线代表E平面(E-plane radiation)测量结果,细线代表H平面(H-plane radiation)测量结果。