| 主权项 |
1.一种利用化学机械研磨法之部份研磨装置,系用 于将一半导体晶圆平坦化,该装置至少包含: 一研磨垫片,该研磨垫片具有一表面以研磨该半导 体晶圆,该研磨垫具有一直径小于该半导体晶圆的 直径;以及 一研磨头,系用于固定该半导体晶圆,该研磨头与 该研磨垫片联合使用,该研磨头抵住该半导体晶圆 ,以使得该半导体晶圆抵住该研磨垫片。2.如申请 专利范围第1项之装置,其中上述之研磨头可以依 照一第一方向旋转,而该研磨垫片可以依照一第二 方向旋转。3.如申请专利范围第2项之装置,其中上 述之第一方向与该第二方向的方向相反。4.如申 请专利范围第2项之装置,其中上述之第一方向与 该第二方向的方向相同。5.如申请专利范围第2项 之装置更包含一可旋转平面,该研磨垫片稳固的贴 在该可旋转平面上,该可旋转平面系用来使该研磨 垫片依照该第二方向旋转。6.如申请专利范围第1 项之装置更包含一真空叉组,系用于固定该半导体 晶圆,该真空叉组贴于该研磨头。7.如申请专利范 围第1项之装置,其中上述之研磨垫片的直径大约 为该半导体晶圆直径的百分之二十至百分之八十 。8.一种利用化学机械研磨法之部份研磨装置,系 用于将一半导体晶圆平坦化,该装置至少包含: 一研磨垫片,该研磨垫片具有一表面以研磨该半导 体晶圆,该研磨垫片可以依照一第一方向旋转,而 且该研磨垫具有一直径小于该半导体晶圆直径; 一研磨头,系用于固定该半导体晶圆,该研磨头与 该研磨垫片联合使用,该研磨头抵住该半导体晶圆 ,以使得该半导体晶圆抵住该研磨垫片,该研磨头 可以依照一第二方向旋转;以及 一可旋转平面,该研磨垫片稳固的贴在该可旋转平 面上,该可旋转平面系用来使该研磨垫片依照该第 一方向旋转。9.如申请专利范围第8项之装置,其中 上述之第一方向与该第二方向的方向相反。10.如 申请专利范围第8项之装置,其中上述之第一方向 与该第二方向的方向相同。11.如申请专利范围第8 项之装置更包含一真空叉组,系用于固定该半导体 晶圆,该真空叉组贴于该研磨头。12.如申请专利范 围第8项之装置,其中上述之研磨垫片的直径大约 为该半导体晶圆直径的百分之二十至百分之八十 。13.一种利用化学机械研磨法之部份研磨装置,系 用于将一半导体晶圆平坦化,该装置至少包含: 一研磨垫片,该研磨垫片具有一表面以研磨该半导 体晶圆,而且该研磨垫具有一直径小于该半导体晶 圆直径,研磨垫片的直径大约为该半导体晶圆直径 的百分之二十至百分之八十;以及 一研磨头,系用于固定该半导体晶圆,该研磨头与 该研磨垫片联合使用,该研磨头抵住该半导体晶圆 ,以使得该半导体晶圆抵住该研磨垫片。14.如申请 专利范围第13项之装置,其中上述之研磨头可以依 照一第一方向旋转,而该研磨垫片可以依照一第二 方向旋转。15.如申请专利范围第14项之装置,其中 上述之第一方向与该第二方向的方向相反。16.如 申请专利范围第14项之装置,其中上述之第一方向 与该第二方向的方向相同。17.如申请专利范围第 14项之装置更包含一可旋转平面,该研磨垫片稳固 的贴在该可旋转平面上,该可旋转平面系用来使该 研磨垫片依照该第二方向旋转。18.如申请专利范 围第13项之装置更包含一真空叉组,系用于固定该 半导体晶圆,该真空叉组贴于该研磨头。图式简单 说明: 第一图A为传统用以将一半导体晶圆表面平坦化之 化学机械研磨装置的上视图。 第一图B显示传统用以将一半导体晶圆表面平坦化 时,之化学机械研磨装置与半导体晶圆的剖面图。 第一图C显示以传统化学机械研磨装置对半导体晶 圆进行化学机械研磨时,研磨速率与晶圆直径相对 关系之位置图。 第二图A为以化学机械研磨法,根据本发明的部份 研磨装置,用以将一半导体晶圆表面平坦化之上视 图。 第二图B显示以化学机械研磨法,根据本发明的部 份研磨装置,用以将一半导体晶圆表面平坦化之剖 面图。 |
