增强型鍚球排列结构装置

摘要

一种增强型锡球排列结构装置，于锡球阵列封装(Ball Grid Array,BGA)技术中，在IC封装体边缘与晶片(Die)下方等受应力较脆弱之处，增加高温锡球(High- melting-pointsolder ball)当作支撑锡球(Spacer ball)，以加强电路板的应力支撑，同时亦避免锡球搭接所造成的电路短路。在配合不同熔点锡球之运用后，可使低温锡球(Low-melting-point solder ball)被回焊成为最佳化的沙漏状(Hourglassconfiguration)，进而减少锡球的热疲劳应力(Thermal fatiguestress)，以改善BGA封装技术所面对之可靠度的问题。

主权项

1.一种积体电路封装(IntegratedCircuit packaging, IC packaging)系统,该系统至少包含: 一电路板(Printed Circuit Board, PCB); 一基板(Substrate); 一晶片(Die),与该基板连接; 复数个第一连结装置,位于该基板之边缘下方与该 晶片边缘之下方,用以连接该基板与该电路板;及 复数个第二连结装置,位于该基板之该下方,用以 辅助该第一连结装置与该基板与该电路板之连接 。2.如申请专利范围第1项之系统,其中上述之第一 连结装置的熔点较该第二连结装置为高。3.如申 请专利范围第2项之系统,其中上述之第一连结装 置包含复数个高温锡球(High-melting-point solder balls) 。4.如申请专利范围第2项之系统,其中上述之第二 连结装置包含复数个低温锡球(Low-melting-Point solder balls)。5.如申请专利范围第1项之系统,其中上述 之位于该基板之边缘下方与该晶片边缘之下方之 该第二连结装置,系覆盖于该第一连结装置之表面 。6.如申请专利范围第5项之系统,其中上述当位于 该基板之边缘下方与该晶片边缘之下方之该第二 连结装置,系覆盖于该第一连结装置之表面时,其 外观系形成沙漏状(Hourglass)。7.如申请专利范围第 1项之系统,其中上述之该基板与该电路板之连接, 系利用下列方法之一来完成: 锡球阵列封装技术(Ball Grid Array, BGA); 卷带式锡球阵列封装技术(Tab BGA, TBGA); 陶瓷锡球阵列封装技术(Ceramic BGA, CBGA); 塑胶锡球阵列封装技术(Plastic BGA, PBGA);及 同晶片尺寸封装技术(Chip Scale Package, CSP)。8.一种 基板(Substrate)连结(Interconnection)装置,以使一包含 一晶片(Die)之基板与一电路板(Printed Circuit Board, PCB)相连接,该基板连结装置至少包含: 复数个第一连结装置,位于该基板之边缘下方与该 晶片之边缘下方,用以连接该基板与该电路板;及 复数个第二连结装置,位于该基板之该下方,用以 辅助该第一连结装置与该基板与该电路板之连接 。9.如申请专利范围第8项之基板连结装置,其中上 述之第一连结装置的熔点较该第二连结装置为高 。10.如申请专利范围第9项之基板连结装置,其中 上述之第一连结装置包含复数个高温锡球(High- melting-point solder balls)。11.如申请专利范围第9项之 基板连结装置,其中上述之第二连结装置包含复数 个低温锡球(Low-melting-point solder balls)。12.如申请 专利范围第8项之基板连结装置,其中上述之位于 该基板之边缘下方与该晶片边缘之下方之该第二 连结装置,系覆盖于该第一连结装置之表面。13.如 申请专利范围第12项之基板连结装置上述当位于 该基板之边缘下方与该晶片边缘之下方之该第二 连结装置,系覆盖于该第一连结装置之表面时,其 外观系形成沙漏状(Hourglass)。14.如申请专利范围 第8项之基板连结装置,其中上述之该基板与该电 路板之连接,系利用下列方法之一来完成: 锡球阵列封装技术(Ball Grid Array, BGA); 卷带式锡球阵列封装技术(Tab BGA, TBGA); 陶瓷锡球阵列封装技术(Ceramic BGA, CBGA); 塑胶锡球阵列封装技术(Plastic BGA, PBGA);及 同晶片尺寸封装技术(Chip Scale Package, CSP)。15.一种 基板(Substrate)连结(Interconnection)装置,以使一包含 一晶片(Die)之基板与一电路板(Printed Circuit Board, PCB)相连接,该基板连结装置至少包含: 复数个第一连结装置,位于该基板之边缘下方与该 晶片之边缘下方,用以连接该基板与该电路板;及 复数个第二连结装置,位于该基板之该下方,用以 辅助该第一连结装置与该基板与该电路板之连接; 该位于该基板之边缘下方与该晶片边缘之下方之 该第二连结装置覆盖于该第一连结装置之表面以 形成沙漏状(Hourglass)之外观。16.如申请专利范围 第15项之基板连结装置,其中上述之第一连结装置 的熔点较该第二连结装置为高。17.如申请专利范 围第15项之基板连结装置,其中上述之第一连结装 置包含复数个高温锡球(High-melting-point solder balls) 。18.如申请专利范围第16项之基板连结装置,其中 上述之第二连结装置包含复数个低温锡球(Low- melting-point solder balls)。19.如申请专利范围第15项 之基板连结装置,其中上述之该基板与该电路板之 连接,系利用下列方法之一来完成: 锡球阵列封装技术(Ball Grid Array, BGA); 卷带式锡球阵列封装技术(Tab BGA, TBGA); 陶瓷锡球阵列封装技术(Ceramic BGA, CBGA); 塑胶锡球阵列封装技术(Plastic BGA, PBGA);及 同晶片尺寸封装技术(Chip Scale Package, CSP)。图式简 单说明: 第一图为本发明所揭露之增强型锡球排列结构之 排列方式的俯视图; 第二图A为本发明所揭露之增强型锡球排列结构装 置中,配合低温锡球之运用情形,并以剖面图(Profile )的方式描绘之; 第二图B描述第二图A中,增强型锡球排列结构装置 于电路板上之锡球排列组合情形; 第二图C描述第二图A中,在低温锡球回焊后成为最 佳化的形状的情形;及 第三图描述锡球之材料性质。