| 发明名称 |
Method of forming a resist pattern using an optimized anti-reflective layer |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0588087(B1) |
申请公布日期 |
1999.11.10 |
| 申请号 |
EP19930113219 |
申请日期 |
1993.08.18 |
| 申请人 |
SONY CORPORATION |
发明人 |
OGAWA, TOHRU;GOCHO, TETSUO |
| 分类号 |
G03F7/09;G03F7/20;H01L21/02;H01L21/027;H01L21/3213;H01L21/768;(IPC1-7):G03F7/09 |
主分类号 |
G03F7/09 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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