| 发明名称 | 衬底触发式静电放电保护的半导体器件及其方法 | ||
| 摘要 | 半导体器件有具有第一导电类型的衬底。衬底有一个也具有第一导电类型的顶部衬底区。第一掺杂区,第二掺杂区和第三掺杂区位于顶部衬底区上,其中第一和第二掺杂区具有与第一导电类型相反的第二导电类型,而第三掺杂区具有第一导电类型,并且其中第三掺杂区位于第一和第二掺杂区之间。掺杂势阱区也在顶部衬底区,具有第二导电类型,具有第三掺杂区和至少第三掺杂区的一部分位于其中。这里也提供了形成这种器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1234612A | 申请公布日期 | 1999.11.10 |
| 申请号 | CN99105292.7 | 申请日期 | 1999.04.30 |
| 申请人 | 摩托罗拉公司 | 发明人 | 杰里米·C·史密斯 |
| 分类号 | H01L29/36;H01L27/04;H01L23/60;H01L23/62 | 主分类号 | H01L29/36 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，其特征在于包括：覆盖衬底(65)的第一顶部衬底区(80)，第一顶部衬底区(80)具有第一导电类型；覆盖衬底(65)的第二顶部衬底区(70)，第二顶部衬底区(70)具有与第一导电类型相反的第二导电类型；其中第一和第二顶部衬底区(70和80)互相邻接：在第一顶部衬底区(80)的第一掺杂区(87)，第一掺杂区具有第一导电类型；第二掺杂区(86)具有第二导电类型，其中第二掺杂区(86)位于第一和第二顶部衬底区(70和80)的一部分之内；在第二顶部衬底区(70)的第三掺杂区(88)，第三掺杂区(88)具有第一导电类型，和与第二顶部衬底区(70)相邻的功能部件(feature)，其中：该功能部件具有第二导电类型和比第二顶部衬底区(70)高的掺杂浓度；以及该功能部件是衬底(65)；或在第二顶部衬底区(70)的第四掺杂区(100)。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺斯 | ||