| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Beleuchtungssystem für Wellenlängen <= 193 nm, insbesondere für die EUV-Lithographie, mit wenigstens einer Lichtquelle (1), die in einer vorbestimmten Fläche eine Ausleuchtung A aufweist; wenigstens einer Einrichtung zur Erzeugung sekundärer Lichtquellen; wenigstens einer Spiegel- oder Linsenvorrichtung umfassend wenigstens einen Spiegel oder eine Linse, der bzw. die in Rasterelemente gegliedert ist; ein oder mehrere optische Elemente, die zwischen der Spiegel-oder Linsenvorrichtung umfassend wenigstens einen Spiegel oder eine Linse, der bzw. die in Rasterelemente gegliedert ist und der Retikelebene (14) angeordnet sind, wobei die optischen Elemente die sekundäre Lichtquelle in die Austrittspupille des Beleuchtungssystems abbilden. Das Beleuchtungssystem ist dadurch gekennzeichnet, daß die Rasterelemente des bzw. der Spiegel oder Linse(n) derart geformt und angeordnet sind, daß die Bilder der Rasterelemente durch die optischen Elemente in der Retikelebene (14) zum überwiegenden Teil zur Deckung kommen und daß die durch Apertur und Füllgrad definierte Austrittspupille beleuchtet wird. <IMAGE></p> |
