发明名称 半导体器件的加速老化的检测系统和方法
摘要 一种检测半导体器件的方法,包括在一段时间给半导体器件通以预定电平的电流脉冲之步骤,以使有缺陷器件老化,使无缺陷器件稳定,及在加电流脉冲后,测量半导体器件的预定电或光工作特性之步骤。一种检测片子上半导体器件的系统,具有接触探头,用于把电流脉冲施加到片子上的半导体器件上,与探头电连接的测量装置,用于测量片子上半导体器件的预定电或光工作特性,以及与测量装置电连接的光探测装置,用于探测由片子上半导体器件发出的辐射。
申请公布号 CN1046350C 申请公布日期 1999.11.10
申请号 CN93114427.2 申请日期 1993.10.13
申请人 克里研究公司 发明人 约翰·A·爱德蒙;道格拉斯·A·阿司布利;卡温·H·卡特;道格拉斯·G·华尔兹
分类号 G01R31/36 主分类号 G01R31/36
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 陈申贤
主权项 1.一种检测半导体器件的方法,包括下列步骤:在少于15秒的时间内,对被测半导体器件通以预定的、高于其平均工作电平的电流脉冲,以使有缺陷的被测器件老化,无缺陷的被测器件稳定,以及在通过电流脉冲之后,测量半导体器件的预定电学或光学工作特性。
地址 美国北卡罗莱纳