发明名称 |
半导体器件的加速老化的检测系统和方法 |
摘要 |
一种检测半导体器件的方法,包括在一段时间给半导体器件通以预定电平的电流脉冲之步骤,以使有缺陷器件老化,使无缺陷器件稳定,及在加电流脉冲后,测量半导体器件的预定电或光工作特性之步骤。一种检测片子上半导体器件的系统,具有接触探头,用于把电流脉冲施加到片子上的半导体器件上,与探头电连接的测量装置,用于测量片子上半导体器件的预定电或光工作特性,以及与测量装置电连接的光探测装置,用于探测由片子上半导体器件发出的辐射。 |
申请公布号 |
CN1046350C |
申请公布日期 |
1999.11.10 |
申请号 |
CN93114427.2 |
申请日期 |
1993.10.13 |
申请人 |
克里研究公司 |
发明人 |
约翰·A·爱德蒙;道格拉斯·A·阿司布利;卡温·H·卡特;道格拉斯·G·华尔兹 |
分类号 |
G01R31/36 |
主分类号 |
G01R31/36 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
陈申贤 |
主权项 |
1.一种检测半导体器件的方法,包括下列步骤:在少于15秒的时间内,对被测半导体器件通以预定的、高于其平均工作电平的电流脉冲,以使有缺陷的被测器件老化,无缺陷的被测器件稳定,以及在通过电流脉冲之后,测量半导体器件的预定电学或光学工作特性。 |
地址 |
美国北卡罗莱纳 |