发明名称 TRANSISTORE MOS,PER ALTA TENSIONE,DOTATO DI UNO STRATO DI OSSIDO A GRADINO AL DISOPRA DELL'AREA DEL CANALE
摘要
申请公布号 IT1110807(B) 申请公布日期 1986.01.06
申请号 IT19790019330 申请日期 1979.01.16
申请人 RCA CORP 发明人
分类号 H01L29/78;H01L27/12;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/786;(IPC1-7):H01L/ 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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