| 发明名称 |
MOSFET mit LDD Struktur und Verfahren zur Herstellung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69508302(T2) |
申请公布日期 |
1999.11.04 |
| 申请号 |
DE1995608302T |
申请日期 |
1995.05.16 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD., SUWON |
发明人 |
KIM, JHANG-RAE |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78;H01L29/08 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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