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<p>L'invention concerne un transistor MOS comprenant une grille (22) sur un oxyde (20) de grille sur une zone de canal (26) entre une zone source et une zone de drain. Ce transistor comporte également une électrode de blindage (24) au moins partiellement sur l'oxyde (20) de grille adjacent et auto-aligné par rapport à la grille (22), avec laquelle il est partiellement coplanaire, et entre la grille (22) et la zone de drain. Le positionnement de l'électrode de blindage (24) sur l'oxyde (20) de grille améliore le blindage grille-drain, réduit la capacitance grille-drain, Cgd, et réduit le risque de fiabilité liée aux électrons chauds.</p> |
