| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft einen Hochvolt-Randabschluß für ein Halbleiterbauelement, bei dem in einem Halbleiterkörper (1) des einen Leitungstyps in dessen Randbereich eine hochdotierte Zone (4) des anderen Leitungstyps vorgesehen ist. Diese hochdotierte Zone (4) des anderen Leitungstyps besteht aus mehreren inselartigen Gebieten (10, 11), die wenigstens teilweise in eine hochdotierte Oberflächenschicht (3) des einen Leitungstyps eingebettet sind. Der Abstand zwischen den inselartigen Gebieten (10, 11) ist dabei kleiner als die Breite der Raumladungszone in der hochdotierten Oberflächenschicht (3) bei der Durchbruchsspannung zwischen einem inselartigen Gebiet (10, 11) und der hochdotierten Oberflächenschicht (3).</p> |
