| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft einen niederohmigen Hochvolt-Feldeffekttransistor, mit einem schwach dotierten Halbleiterkörper (1) des einen Leitungstyps, auf dessen einer Oberseite eine hochdotierte Drainzone (2) des einen Leitungstyps vorgeshen ist und in dessen andere Oberseite eine Kanalzone (4) des anderen Leitungstyps mit einer darin angeordneten hochdotierten Sourcezone (5) des einen Leitungstyps vorgesehen ist. Außerdem hat dieser Hochvolt-Feldeffekttransistor höher als der halbleiterkörper dotierte säulenförmige Halbleitergebiete (15, 16) des einen und des anderen Leitungstyps, die im Halbleiterkörper (1) im Bereich im wesentlichen unterhalb von über der anderen Oberseite des halbleiterkörpers vorgesehenen Gateelektroden (6) von wenigstens der Kanalzone (4) aus bis zu der Drainzone (2) verlaufen. An die Kanalzone (4) grenzt dabei ein höher als der Halbleiterkörper (1) dotierter Halbleiterbereich (17) des einen Leitungstyps an.</p> |
