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Bei einem Verfahren zur Herstellung einer mindestens zwei Halbleiterbauelemente umfassenden Halbleiteranordnung werden auf einem Halbleitersubstrat (1) an dessen Oberseite zumindest zwei unterschiedlich dotierte Oberflächenbereiche (2, 3) ausgebildet. Nachfolgend wird auf jedem der Oberflächenbereiche eine aus mehreren Schichten (4, 5, 6, 7) bestehende aktive Schichtstruktur (9; 10) aufgebaut, wobei jede Schichtstruktur einem der Halbleiterbauelemente (12; 13) zugeordnet ist. Die jeweils substratseitig untersten elektrisch leitfähigen Schichten (4) der aktiven Schichtstrukturen sind elektrisch voneinander getrennt.
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