| 主权项 |
1.一种矽基材上形成高崩溃电压电容器之方法,该制法包括步骤:在该矽基材上形成第一层掺杂多晶矽;在该第一层掺杂多晶矽上形成矽化层;在该矽化层上形成氧化层,然后将该矽化层回火;在该氧化层上形成第二层掺杂多晶矽;将该第二层多晶矽定义图案以形成该电容器顶板;除了该电容器顶板以下之氧化物作为电容器介电质外,将所有氧化物层移除;以及将该第一层掺杂多晶矽与该矽化层定义图案以形成该电容器多晶矽化物底板。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中在大约800与1000℃之间将该矽化层进行回火。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中在大约5与10%间氧气压下进行回火。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中该矽化层由WSix(矽化钨)组成,x在大约2.3与2.8之间。5.根据申请专利范围第4项之方法,其中使用LPCVD法(低压化学蒸气沈积法)将WF6(氟化钨)与SiH4(矽烷)沈积或使该WSix厚度大约1000与2000埃之间。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中对于0.8至1.0微米技术而言,在大约650与750℃间使用LPCVD法将TEOS(四乙氧基矽烷)分解而使该氧化层沈积成使该氧化层厚度大约600与1200埃之间。7.根据申请专利范围第1项之方法,其中对0.6微米技术而言,在大约750与850℃之间使用HTO法(高温氧化物法)利用N2O(一氧化二氮)与SiH2Cl2沈积成使该氧化层厚度大约300与500埃之间。8.根据申请专利范围第1项之方法,其中在除了该顶板以下之氧化层外移除其他氧化层后进行第一层掺杂多晶矽与该矽化层之定义图案。9.根据申请专利范围第1项之方法,其中在形成该矽化层后进行该第一层掺杂多晶矽与该矽化层之定义图案。10.一种矽基材内与基材上积体电路之方法,该基材所包括:电容器具有高崩溃电压以及附有多晶矽化物闸极之FET(场效电晶体),该制法包括步骤:在该矽基材内与基材上形成场氧化区与闸极氧化层;在该场氧化区与该闸极氧化层上形成第一层掺杂多晶矽:在该第一层掺杂多晶矽上形成矽化层;将第一层掺杂多晶矽与该矽化层定义图案成该电容器之多晶矽化物底板,而形成该多晶矽化物闸极;在最终结构上形成氧化层;将该多晶矽化物底板与多晶矽化物闸极回火;在该氧化层上形成第二层掺杂多晶矽;将该第二层掺杂多晶矽定义图案以形成该电容器顶板;除在该容器顶板以下氧化层作为该电容器电介质外将其他氧化层移除;在相邻该多晶矽化物闸极处形成基材料中FET装置之源及汲极区;以及完成该积体电路。11.根据申请专利范围第10项之方法,其中在大约800与1000℃之间将该矽化层回火。12.根据申请专利范围第11项之方法,其中在大约5与10%氧气压下进行回火。13.根据申请专利范围第10项之方法,其中该矽化层由WSix(矽化钨)组成,x在大约2.3与2.8之间。14.根据申请专利范围第13项之方法,其中使用LPCVD法(低压化学蒸气沈积法)将WF6(氟化钨)与SiH4(矽烷)沈积或使WSix厚度大约1000与2000埃之间。15.根据申请专利范围第10项之方法,其中对0.8至1.0微米技术而言,在大约650与750℃之间使用LPCVD法分解TEOS(四乙氧基矽烷)而沈积成氧化层厚度大约600与1200埃之间。16.根据申请专利范围第10项之方法,其中对0.6微米技术而言,在大约750与850℃下使用HTO法(高温氧化物法)利用N2O(一氧化二氮)与SiH2Cl2沈积成氧化层厚度大约300与500埃之间。17.根据申请专利范围第10项之方法,其中除了在该顶板以下之氧化层外将其他氧化物移除后进行该第一层掺杂多晶矽与该矽化层之定义图案。18.根据申请专利范围第10项之方法,其中在形成该矽化层后进行该第一层掺杂多晶矽与该矽化层之定义图案。图式简单说明:第一图,第二图与第三图A-第三图D为本发明第一种方法所制造多晶矽化物对多晶矽型电容器横截面表示图。第四图A-第四图D为本发明第二种方法所制造多晶矽化物对多晶矽型电容器之表示图。第五图为先前技艺多晶矽化物对多晶矽电容器与本发明电容器电场崩溃电压之图解表示图。 |
