| 主权项 |
1.一种蚀刻一基质的方法,其包含的步骤为:将一将被蚀刻的基质支撑于一电浆反应室内的一台座电极上,其是与一该台座电极相面对的相反电极相对;将一蚀刻气体供应至该反应室中;及施加一射频能量于该等电极之间使得介于5%至35%的该射频能量被施加于该相反电极上,该蚀刻气体的一电浆被形成于该二电极之间。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该二电极曝露于该电浆中的有效表面积相差不到25%。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其更包括感应式地将该射频能量耦合于该反应室中以支援该电浆。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该反应室包括一圆锥形顶其介于该二电极之间,一感应线圈缠绕于该圆锥形顶周围,及更包括一步骤为经由该感应线圈将射频能量感应地耦合于该反应室。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其更包括将该射频能量感应式地耦合至该反应室以支援该电僵。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该基质包含一表面部分及一大致上为矽之底层部分,该表面部分包含一矽氧化物或一矽氮化物或它们的组合,而且其中该蚀刻气体包括一含氟的气体及其中该相反电极包括一可将氟从该电浆中去除的物质。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该含氟的气体额外地包含碳。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该含氟的气体为氟化碳。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该蚀刻气体额外地包含氢氟碳化物。10.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该新反电极包含矽。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该含氟的气体包含氟化碳。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该蚀刻气体额外地包含氢氟碳化物。13.一种在一电浆反应室中蚀刻的方法,该电浆反应室包括一感应线圈,一台座电极用来支撑一将被处理的基质,及一相反电极其位在与该台座电极平行相对的位置并包含去氟物质,该方法包含的步骤为:将一包含氢及氟的蚀刻气体通入该反应室中;施加一射频能量至该感应线圈;施加一第一射频能量至该台座电极;及施加一小于该第一射频能量之第二射频能量至该相反电极,该蚀刻气体的一电浆被形成于该反应室内。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其更包括将该相反电极的温度维持在220℃以下的步骤。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该相反电极的该温度被保持在200℃以下。16.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该去氟物质包含矽。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其更包含一步骤为将该相反电极的该温度被保持在220℃以下。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该相反电极的该温度被保持在200℃以下。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中所有曝露于该反应室的内部中的部分都被保持在200℃以下。20.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该相反电极的温度被保持在180℃或高于180℃,但低于200℃。21.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该等施加的步骤造成被施加于该相反电极及该台座电极上之第二及第一射频能量是在一小于25%的有限能量分离率内。22.如申请专利范围第21项所述之方法,其中该能量分离率至少为10%。23.如申请专利范围第19项所述之方法,其中该蚀刻气体包含氟化碳。24.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该蚀刻气体额外地包含一氢氟碳化物。25.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该等施加第一及第二射频能量的步骤包含将来自于一共同的射频源之能量分离于该台座电极与该相反电极之间。图式简单说明:第一图为在一半导体积体电路中之一双层接点结构的一剖面图。第二图为可使用本发明之一电浆蚀刻室的一剖面图。第三图为第二图之反应室的主要射频组件的示意电路图。第四图为一能量分离电路的一示意电路图。第五图为一形成于一晶圆上并用来评估本发明之测试结构的剖面图。 |
