| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征为:具备有:具有结晶性之半导体层,构成该半导体层之半导体元素与金属元素之金属化合物层接合之构造,在前述半导体层与前述金属化合物层之接合界面附近,掺有其结合半径小于前述半导体元素,由于其存在而不使前述半导体层之电特性劣化之性质之第1元素之含第1元素领域,前述半导体元素之结合半径为r1,前述金属元素之结合半径为ra,第1元素之结合半径rb,前述金属元素之浓度与前述第1元素之比率为X:1-X时,前述金属元素之浓度比率X为:者。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,前述第1元素系将其掺在前述半导体层内而可能发生电子或电洞之元素者。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,前述第1元素系将其掺在前述半导体层内而不发生电子及电洞之元素者。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,前述第1元素系以单体即可成为半导体元素的元素者。5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,前述含有第1元素之领域具有:在前述金属化合物层内之前述第1元素之浓度为,高于前述半导体层内之第1元素之浓度分布者。6.一种半导体装置为,其特征为:具备有:具有结晶性之不纯物浓度较高之第1半导体层,在前述第1之半导体层上,形成为反映前述第1半导体层之结晶性之不纯物浓度较低之第2半导体层,在前述第1及第2之半导体层之接合界面附近,有导入其结合半径大于构成前述第1半导体层之半导体元素,由于其存在而可避免使前述半导体层之电特性劣化之性质之第1元素之含有第1元素领域;前述第1半导体层为,具有不纯物元素,而前述不纯物元素之结合半径为小于前半导体元素者,前述半导体元素之结合半径为r1,前述第1不纯物元素之结合半径为ra,第1元素之结合半径为rb,前述第1元素之浓度与前述第1不纯物元素之浓度之比率为X:1-X,前述第1元素之浓度比率X为:者。7.一种半导体装置,其特征为:具备有:具有结晶性之不纯物浓度较高之第1半导体层,在前述第1之半导体层上,形成为反映前述第1半导体层之结晶性之不纯物浓度较低之第2半导体层,在前述第1及第2之半导体层之接合界面附近,有导入其结合半径小于构成前述第1半导体层之半导体元素,由于其存在而可避免使前述半导体层之电特性劣化之性质之第1元素之含第1元素领域;前述第1半导体层为,具有不纯物元素,而前述不纯物元素之结合半径为大于前半导体元素,前述半导体元素之结合半径为r1,前述第1不纯物元素之结合半径为ra,第1元素之结合半径为rb,前述第1元素之浓度与前述第1不纯物元素之浓度之比率为X:1-X,前述第1元素之浓度比率X为:者。8.如申请专利范围第6或7项之半导体装置,其中,前述第1元素为,将其导入于前述第1及第2之半导体层内而可能发生电子或电洞之元素者。9.如申请专利范围第6或7项之半导体装置,其中,前述第1元素为,将其导入于前述第1及第2半导体层内时不发生电子或电洞之元素者。10.如申请专利范围第6成7项之半导体装置,其中,前述第1元素为,以单体即可成为半导体元素的元素者。图式简单说明:第一图系显示有关本发明之实施形态1之半导体装置之构成之剖面图。第二图系显示有关本发明之实施形态1之半导体装置之预定部分之元素浓度分布之图。第三图系显示有关本发明之实施形态1之半导体装置之预定部分之结晶状态之模式图。第四图系显示有关本发明之实施形态2之半导体装置之构成之剖面图。第五图系显示有关本发明之实施形态2之半导体装置之预定部分之元素浓度分布之图。第六图系显示有关本发明之实施形态2之半导体装置之预定部分之结晶状态之模式图。,第七图系说明有关本发明之实施形态2之半导体装置之制造步骤之剖面图。第八图系说明有关本发明之实施形态2之半导体装置之制造步骤之剖面图。第九图系说明有关本发明之实施形态2之半导体装置之制造步骤之剖面图。第十图系说明有关本发明之实施形态2之半导体装置之制造步骤之剖面图。第十一图系显示先前之半导体装置构成之剖面图。第十二图系显示先前之半导体装置构成之预定部分结晶状态之模式图。第十三图系显示先前之半导体装置构成之预定部分结晶状态之模式图。第十四图系显示先前之半导体装置构成之剖面图。 |
