形成半导体装置之方法

摘要

一种电浆蚀刻一防反射涂布(BARC)层之方法，形成一积体电路，其具有一层要在覆于半导体基底11表面上打样15，有机BARC层17沈积于要打样15之层上，有机BARC层系后续光阻层曝光步骤中使用之辐射吸收者，光阻层19形成在BARC层17上，曝光于辐射并打样以形成一期望蚀刻罩幕，BARC层17防止光阻层曝光步骤中入射辐射之不期望反射，接着将BARC层17在包括氢溴化物(HBr)之化学中作电浆蚀刻，包括(HBr)之电浆蚀刻系选择性并有极小的蚀刻偏差，在不蚀刻底层之情况下提供极佳之垂直蚀刻。完成本发明之BARC蚀刻后，即将光阻层与BARC层当成蚀刻罩幕使用以打样底层，本发明之方法可用以打样氧化层，多晶矽，与硼磷矽玻璃BPSG形成之玻璃层，揭露一种使用本发明方法而形成DRAM单元之实施例，而且也说明其他实例。

主权项

1.一种形成半导体装置之方法,包含以下步骤:提供一矽基底;在至少第一传导型材料之该矽基底中形成区域;形成一层以打样在该矽基底上,该层系第一波长辐射之反射;于要打样之该层上形成一埋入防反射涂布(BARC),该BARC系该第一波长之吸收的;于该BARC层上形成一光阻层,该光阻层可藉由该第一波长之辐射而曝光;使用一光制版术罩幕,用该第一波长之辐射而曝光该光阻层,该BARC层防止该辐射反射回到该光阻层之中;打样该光阻层以去除未曝光区域;将该光阻层当成蚀刻罩幕使用以电浆蚀刻BARC层,该电浆蚀刻以包括氢溴化物(HBr);及将光阻层与BARC层当成蚀刻罩幕使用以蚀刻该底层以完成期望样式。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该电浆蚀刻BARC层之步骤更包含:提供一电浆蚀刻化学,包括HBr,CO2,O2与惰性分子。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该惰性分子系氩。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该提供BARC层之步骤包含提供一有机BARC层。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该底层系一多晶矽层。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该底层系一氧化层。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该底层系一硼磷矽玻璃(BPSG)。图式简单说明:第一图是根据习用BARC电浆蚀刻的典型多晶矽闸结构;第二图是配合本发明的BARC蚀刻使用的矽基底以形成一逻辑装置;第三图以逻辑装置的闸氧化层来说明第二图的矽基底;第四个以要打样的多晶矽闸层来说明第三图的矽基底以形成逻辑装置的闸极;第五图以形成于要打样的多晶矽层上的本发明BARC层来说明第四图的矽基底;第六图以重叠于BARC层上的光阻层样式来说明第五图的矽基底;第七图说明本发明的BARC蚀刻制程后,第六图的矽基底;第八图是形成电容器结构前一典型电晶体记忆体储存单元的剖视图;第九图是形成BARC层后,第八图的剖视图;第十图是形成并打样光阻层后,第九图记忆体单元的剖视图;第十一图是根据本发明的BARC蚀刻后,第十图记忆体单元的剖视图;第十二图说明第十图光阻层样式之后的完成记忆体单元,其当成蚀刻罩幕使用以形成第十一图记忆体单元的储存单元电容器。