| 主权项 |
1.一种制造活性氟之装置,其包括:i)一含一固体硷金属氟卤化物(solid alkalimetalfluorohalate),较佳者为四氟卤化物之运送管;ii)加热该固体硷金属氟卤化物之工具;以及iii)一该管之出口,使加热所产生之活性氟气体可自该管释出。2.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该固体硷金属氟卤化物系为MXF(n+1),而M为钾,铷或铯,X为氯,溴和碘,以及n为1,3,5或7。3.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该氟卤化物系为KClF4,RbClF4或CsClF4。4.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该运送管系为一圆筒,适用于装填该固体硷金属四氟卤化物。5.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该加热器系为该管之一绝对必要部分。6.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该装置可再装填后使明。7.一种提供活性氟来源之方法,其包括:i)产生一固体硷金属氟卤化物,较佳者为四氟卤化物;ii)以该固体硷金属氟卤化物为运送和储存之该来源;以及iii)于即将使用时加热该氟卤化物以产生该活性氟气体。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该活性氟只包括氟或与氟以外卤素之结合,例如该活性氟可以是或可包括F,F2,ClF3,ClF5,IF5,BrF3或其混合物。9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中加热含MClF4(其中M为硷金属)之该管至一温度使MClF4分解形成该活性氟气体。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中加热该固体硷金属四氟卤化物至一温度至少130℃或至少180℃。11.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该分解是在真空,惰性气体流或活性氟存在下进行。12.使用固体硷金属氟卤化物,较佳者为四氟卤化物,作为活性氟之运送和储存来源。13.一种清洗和/或蚀刻方法,其包括根据申请专利范围第1项所述之装置和/或根据申请专利范围第7项所述之方法所产生之活性氟并注入该活性氟于一物质以清洗或蚀刻之。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该活性氟是用来清洗化学气相沉积设备和/或去除半导体制造装置,液体结晶制造装置或其相关附属品中之矽和/或锗和/或铜和/或其化合物,和/或清洗配管。15.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该活性氟是用来蚀刻矽,锗,铜或其化合物。16.一种使用如申请专利范围第1项所述之装置和/或申请专利范围第7项所述之方法所产生之活性氟以氟化保护金属之方法。图式简单说明:第一图系为本发明之一储存单元之说明图;以及第二图系为说明本发明供应活性氟之示意图。 |
