| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,包括下列步骤:a.提供一矽基底,该矽基底上已形成有场区氧化层、一第一介电层、一电晶体与一接触窗,其中,该电晶体包括源极/汲极区,且该接触窗形成在该源极/汲极区之一上方;b.于该接触窗中与该第一介电层上方形成一第一导电层,与该源极/汲极区之一电性藕接;c.于该第一导电层上方形成一崎岖状导电层;d.利用光罩上光阻,蚀刻该崎岖状导电层与该第一导电层,形成一栅状导电层,用以作为该电容器的储存电极;e.于该栅状导电层表面形成一第二介电层;以及f.在该第二介电层表面形成一第二导电层,以构成该电容器的胞电极。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该些介电层为氮化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该些介电层为二氧化矽层。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中步骤b中之该第一导电层系以沉积方式形成,并且厚度约是介于3000-5000A之间。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中步骤c中之该崎岖状导电层系以沈积方式形成,并且沈积的温度约是介于560-590℃之间,厚度约是介于500-1000A之间。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中步骤d中之蚀刻步骤包括主蚀刻步骤与过蚀刻步骤。7.如申请专利范围第6项所述之制造方法,其中步骤d更包括下列步骤:利用过蚀刻步骤在该崎岖状导电层上形成复数个微光阻;以该些微光阻为罩幕,继续利用过蚀刻步骤蚀刻该崎岖状导电层与该第一导电层,以形成该栅状导电层。8.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中该些介电层为氮化矽/氧化物层。9.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中该些介电层为二氧化矽层。10.如申请专利范圆第7项所述之制造方法,其中步骤b中之该第一导电层系以沉积方式形成,并且厚度约是介于3000-5000A之间。11.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中步骤c中之该崎岖状导电层系以沈积方式形成,并且沈积的温度约是介于560-590℃之间,厚度约是介于500-1000A之间。12.一种动态随机存取记忆体之电容器的构造,其包括:一矽基底,其上形成有一电晶体元件、一接触窗,其中该电晶体元件包括源极/汲极区,且该接触窗形成在该源极/汲极区之一的上方;一栅状导电层,形成于该接触窗中与该矽基底上方,电性藕接至该源极/汲极区之一,以构成该电容器的一储存电极;一介电层,形成于该栅状导电层表面;以及一第二导电层,形成于该介电层表面,以构成该电容器的一胞电极。13.如申请专利范围第12项所述之构造,其中该介电层为氮化矽/氧化物层。14.如申请专利范围第12项所述之构造,其中该介电层为氧化物/氮化矽/氧化物层。图式简单说明:第一图是动态随机存取记忆体之记忆单元的电路图。第二图是一种动态随机存取记忆体之堆叠电容器的剖面示意图。第三图A至第三图E是依照本发明之一较佳实施例,一种动态随机存取记忆体之电容器的制造流程剖面示意图。 |
