| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离之制造方法,包括:提供一基底;形成一罩幕层覆盖该基底;定义该罩幕层与该基底,以形成一沟渠于该基底中;形成一衬氧化层于该沟渠中该基底之表面上;形成一氧化层填入于该沟渠中且覆盖该罩幕层;去除部份的该氧化层直至约暴露出该罩幕层;进行一雷射回火步骤;以及去除该罩幕层,直至约暴露出该基底。2.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中该罩幕层为一氮化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中去除部份的该氧化层的方法包括化学机械研磨法。4.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中该雷射回火步骤包括使用准分子雷射。5.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中形成该罩幕层的方法包括化学气相沉积法。6.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中形成该氧化层的方法包括化学气相沉积法。7.一种浅沟渠隔离之制造方法,包括:提供一基底;形成一氮化矽层覆盖该基底;定义该氮化矽层与该基底,以形成一沟渠于该基底中;形成一氧化层填入于该沟渠中;研磨掉部份的该氧化层以暴露出该氮化矽层;进行一雷射回火步骤;以及去除该氮化矽层。8.如申请专利范围第7项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中研磨部份的该氧化层的方法包括化学机械研磨法。9.如申请专利范围第7项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中该雷射回火步骤包括使用准分子雷射。10.如申请专利范围第7项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中形成该氮化矽层的方法包括化学气相沉积法。11.如申请专利范围第7项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中形成该氧化层的方法包括化学气相沉积法。图式简单说明:第一图至第五图系绘示习知一种浅沟渠隔离结构之制造流程剖面图;第六图系绘示第五图之上视图;第七图至第十一图系绘示依照本发明一较佳实施例的一种浅沟渠隔离结构之制造流程剖面图;以及第十二图系绘示第十一图之上视图。 |
