防止护层蚀刻破洞及光阻挤出之方法

摘要

一种防止护层蚀刻破洞及光阻挤出之方法。本发明增加一使用亲水性物质来平坦化护层之步骤，故而接着形成之光阻层不会因为表面凹凸不平之故而导致厚度不平均，而护层凹入处也不会因光阻层太薄而遭受到不必要之蚀刻，而产生护层破洞。又藉由亲水性物质和光阻层两者并不会互溶之特性，而可避免光阻流进护层之凹入处中。所以，在尔后之合金制程处理时，则不会有光阻由护层之凹入处强行排出而破坏护层之情形发生。本发明之方法，包括以下步骤：沈积一护层于已完成后段金属化制程之晶圆上；涂布一亲水性物质于上述护层之上，用以将上述护层上之凹入处填平；形成一光阻层于上述护层之上；进行微影制程，以定义上述护层孔洞之图案；蚀刻上述护层；以及，去除残留之上述光阻层。

主权项

1.一种方法,用以在蚀刻护层图案时防止护层破洞产生及光阻挤出,包括以下步骤:沈积一护层于已完成后段金属化制程之晶圆上;涂布一亲水性物质于上述护层之上,用以将上述护层上之凹入处填平;形成一光阻层于上述护层之上;进行微影制程,以定义上述护层孔洞之图案;蚀刻上述护层;以及去除残留之上述光阻层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述亲水性物质为沸点高于250℃的甘油(glycerol)。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中去除光阻层系使用光阻湿式去除法,同时亦将上述护层凹入处中之亲水性物质加以去除。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中以湿式蚀刻法去除光阻后更可进行氧电浆乾蚀法,以去除残留之光阻。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述护层系由氧化层和氮化矽层所形成。6.一种方法,用以在蚀刻护层图案时防止护层破洞产生及光阻挤出,包括以下步骤:沈积一护层于已完成后段金属化制程之晶圆上;涂布一亲水性物质于上述护层之上,用以将上述护层上之凹入处填平,其中上述亲水性物质为沸点高于250℃的甘油(glycerol);形成一光阻层于上述护层之上;进行微影制程,以定义上述护层孔洞之图案;烘烤后,蚀刻上述护层;以及使用光阻湿式去除法去除残留之上述光阻层,而同时上述护层凹入处中之亲水性物质也被去除。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中以湿式蚀刻法去除光阻后更可进行氧电浆乾蚀法,以去除残留之光阻。8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述护层系由氧化层和氮化矽层所形成。图式简单说明:第一图A系表示完成后段金属化制程之晶圆剖面概要图;第一图B系表示于第一图A之晶圆上形成护层后之剖面概要图;第一图C系表示于第一图B之晶圆上形成光阻层后之剖面概要图;以及第二图A至第二图D系表示依据本发明护层蚀刻方法之一实施例之部份流程剖面图。