| 主权项 |
1.一种化学机械研磨方法,该方法至少包含以下步骤:刷除研磨垫上之阻塞物;清洗该研磨垫;载入一待研磨之晶圆;对该晶圆进行化学机械研磨;及移出该晶圆。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之研磨垫系为于研磨时置于一化学机械研磨头与晶圆间之一介质层。3.如申请专利范围第1项之方法,更包含于进行化学机械研磨时注入研磨液至晶圆之表面上。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之研磨垫具有一多孔之表面。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之阻塞物系于研磨垫进行前一次研磨时产生之研磨颗粒及研磨屑,而阻塞于研磨垫多孔表面之孔洞内。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之刷除研磨垫之阻塞物之步骤系使用一耐龙(Nylon)材质之刷头。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之刷除研磨垫之阻塞物之步骤系使用一PVA材质之刷头。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之刷除研磨垫之刷压为1psi至8psi之间。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之刷除研磨垫之进行时间至少为5秒。10.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之刷除研磨垫时之转速约为5转/每分钟至20转/每分钟之间。11.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之清洗研磨垫之步骤系以喷头喷水之方式进行。12.一种化学机械研磨方法,方法至少包含以下步骤:刷除研磨垫上之阻塞物,该研磨垫系为于研磨时置于一化学机械研磨头与晶圆间之一介质层,该研磨垫具有一多孔之表面,刷除时系使用一耐龙(Nylon)材质或PVA材质之刷头;清洗该研磨垫;载入一待研磨之晶圆;对该晶圆进行化学机械研磨,并于进行化学机械研磨时注入研磨液至该晶圆之表面上;及移出该晶圆。13.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之刷除研磨垫之刷压为1psi至8psi之间。14.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之刷除研磨垫之进行时间至少为5秒。15.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之刷除研磨垫时之转速约为5转/每分钟至20转/每分钟之间。16.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之清洗研磨垫之步骤系以喷头喷水之方式进行。17.一种化学机械研磨之前处理方法,该前处理方法至少包含以下步骤:刷除研磨垫上之阻塞物,该研磨垫系为于研磨时置于一化学机械研磨头与晶圆间之一介质层,该研磨垫具有一多孔之表面;及清洗该研磨垫,该清洗步骤系以喷头加以清洗。18.如申请专利范围第17项之方法,其中上述之阻塞物系于研磨垫进行前一次研磨时产生之研磨颗粒及研磨屑,而阻塞于研磨垫多孔表面之孔洞内。19.如申请专利范围第17项之方法,其中上述之刷除研磨垫之阻塞物之步骤系使用一耐龙(Nylon)材质之刷头。20.如申请专利范围第17项之方法,其中上述之刷除研磨垫之阻塞物之步骤系使用一PVA材质之刷头。21.如申请专利范围第17项之方法,其中上述之刷除研磨垫之刷压为1psi至8psi之间。22.如申请专利范围第17项之方法,其中上述之刷除研磨垫之进行时间至少为5秒。23.如申请专利范围第17项之方法,其中上述之刷除研磨垫时之转速约为5转/每分钟至20转/每分钟之间。图式简单说明:第一图显示传统制程中,对晶圆进行化学机械研磨时的截面示意图。第二图显示传统化学机械研磨制程中使用之研磨垫表面形状之局部放大示意图。第三图显示传统化学机械研磨制程后,研磨垫表面累积阻塞物之局部放大示意图。第四图显示本发明中化学机械研磨制程后,研磨垫表面累积部分阻塞物之局部放大示意图。第五图显示本发明中之化学机械研磨方法于进行前处理程序后,研磨垫表面阻塞物完全清除之局部放大示意图。第六图显示本发明中之化学机械研磨方法的流程图。 |
