| 主权项 |
1.一种形成光罩之方法,用以改善曝光时所产生之光学邻近效应,该方法至少包含以下步骤:形成定义图案用之复数个主图案于一光罩上;形成复数个第一子图案相邻于该主图案之角落处;及形成第二子图案于该复数个主图案之间或环形之主图案之内之区域。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之复数个主图案至少包含电容储存电极之图案。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一子图案系为环绕于该主图案角落处之细线状图案。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二子图案包含至少一个绕射区形成于该主图案之间。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二子图案至少包含两个形成于该主图案之间的矩形长条状绕射区。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二子图案包含至少一个方形之绕射区,该主图案至少包含四个电容储存电极之图案,环绕于该方形绕射区之四周。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之主图案至少包含方形环状之主图案,该第二子图案至少包含一形成于该方形环状主图案内部之绕射区。8.一种形成光罩之方法,用以改善曝光时所产生之光学邻近效应,该方法至少包含以下步骤:形成定义图案用之复数个主图案于该光罩上;及形成第二子图案于该复数个主图案之间的区域,该第二子图案包含至少一个绕射区形成于该主图案之间或环形之主图案之内。9.如申请专利范围第8项之方法,更包含形成复数个第一子图案相邻于该主图案之角落处。10.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之第一子图案系为环绕于该主图案角落处之细线状图案。11.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之复数个主图案至少包含电容储存电极之图案。12.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之第二子图案至少包含两个形成于该主图案之间的矩形长条状绕射区。13.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之第二子图案包含至少一个方形之绕射区,该主图案至少包含四个电容储存电极之图案,环绕于该方形绕射区之四周。14.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之主图案至少包含方形环状之主图案,该第二子图案至少包含一形成于该方形环状主图案内部之绕射区。15.一种用以改善光学邻近效应之光罩,该光罩上至少包含:定义图案用之复数个主图案于该光罩上;复数个第一子图案相邻于该主图案之角落处;及第二子图案于该复数个主图案之间或环形之主图案之内之区域。16.如申请专利范围第15项之光罩,其中上述之复数个主图案至少包含电容储存电极之图案。17.如申请专利范围第15项之光罩,其中上述之第一子图案系为环绕于该主图案角落处之细线状图案。18.如申请专利范围第15项之光罩,其中上述之第二子图案包含至少一个绕射区形成于该主图案之间。19.如申请专利范围第15项之光罩,其中上述之第二子图案至少包含两个形成于该主图案之间的矩形长条状绕射区。20.如申请专利范围第15项之光罩,其中上述之第二子图案包含至少一个方形之绕射区,该主图案至少包含四个电容储存电极之图案,环绕于该方形绕射区之四周。21.如申请专利范围第15项之光罩,其中上述之主图案至少包含方形环状之主图案,该第二子图案至少包含一形成于该方形环状主图案内部之绕射区。图式简单说明:第一图显示传统微影制程中所使用的光罩上,其局部图案的示意图。第二图显示本发明中所使用的光罩上,其局部图案的示意图。第三图显示使用传统之光罩所得之焦深及尺寸误差,在不同的曝光能量下的关系图。第四图显示使用本发明之光罩所得之焦深及尺寸误差,在不同的曝光能量下的关系图。第五图A显示使用传统之光罩、且对焦位置在F*+0.6微米时,所得之对焦的环形图案的示意图。第五图B显示使用本发明之光罩、且对焦位置在F*+0.6微米时,所得之对焦的环形图案的示意图。第六图A显示使用传统之光罩、且对焦位置在F*-0.6微米时,所得之对焦的环形图案的示意图。第六图B显示使用本发明之光罩、且对焦位置在F*-0.6微米时,所得之对焦的环形图案的示意图。第七图显示本发明中光罩上图案之另一实施例,其局部图案的示意图。第八图显示本发明中光罩上图案之第三实施例,其局部图案的示意图。 |
