发明名称 乾燥处理方法及使用它的装置
摘要 一种乾燥处理装置,用以供应乾燥气体给容纳半导体晶圆W于其内的处理室35以便使半导体晶圆W乾燥,该装置包含了:使当做载子气体之N2气体加热用的加热器32;蒸气产生器34,用以藉由使用被加热器32加热的 N2气体而使IPA成雾状,并且使IPA加热以产生该乾燥气体;以及流量控制元件36,用以供应预定速率的N2气体给处理室35。因此,有可能增进N2气体的热转换效率,并且有可能增加所产生IPA气体的数量以及减少产生IPA气体的时间。另外,有可能在完成乾燥处理之后防止处理室35内大气的紊流。
申请公布号 TW373259 申请公布日期 1999.11.01
申请号 TW087107583 申请日期 1998.05.15
申请人 东京威力科创有限公司 发明人 小美野光明;内泽修
分类号 H01L21/304 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人 恽轶群
主权项 1.一种乾燥处理方法,用以供应乾燥气体给容纳待处理物件于其中之处理室以便使该待处理物件乾燥,该方法包含了诸步骤;加热载子气体;藉由使用被加热的载子气体而使供该乾燥气体用的液体成雾状,并且加热成雾状的液体以便产生该乾燥气体;以及供应该乾燥气体给该处理室,同时控制该乾燥气体的流速。2.一种乾燥处理装置,用以供应乾燥气体给容纳待处理物件于其中之处理室以便使该待处理物件乾燥,该装置包含了:载子气体加热装置,用以加热载子气体;以及蒸气产生器装置,用以藉由使用被该加热装置加热的该载子气体而使供该乾燥气体用的液体成雾状,并加热成雾状的液体以产生该乾燥气体。3.如申请专利范围第2项之乾燥处理装置,它更包含流量控制装置,用于以预定的速率供应该乾燥气体给该处理室。4.如申请专利范围第2项之乾燥处理装置,其中该载子气体加热装置包含:与载子气体供应线相通的引入管;流体通道形成管,被插入该引入管中以便在该引入管的内侧壁表面与该流体通道形成管之间形成螺旋状流体通道;以及加热装置,被插入至少该流体通道形成管中。5.如申请专利范围第2项之乾燥处理装置,其中该载子气体加热装置包含:与载子气体供应线相通的引入管;线圈构件,被插入该引入管中以便在该引入管的内侧壁表面与该线圈构件之间形成螺旋状流体通道;以及加热装置,被插入至少该线圈构件中。6.如申请专利范围第2项之乾燥处理装置,其中该蒸气产生器装置包含:冲击波形成部份,被形成于与载子气体供应线相通的管状体中;供应埠,用以供应供乾燥气体用的该液体到接近该冲击波形成部份之处;以及加热装置,被提供在该管状体之内及/或之外接近该冲击波形成部份与该供应埠之处或在其下游。7.如申请专利范围第3项之乾燥处理装置,其中该流量控制装置包含:开口角度调整阀,被提供于该乾燥气体的供应线中;控制部份,用以把从检测该处理室内压力用的检测装置输出的信号与事先储存的讯息相比较;以及控制阀,用以根据从该控制部份输出的信号而控制该开口角度调整阀的工作压力。8.如申请专利范围第2项之乾燥处理装置,更包含了检测该乾燥气体之温度用的温度检测装置,该温度检测装置系被提供于该乾燥气体的供应线中。9.如申请专利范围第8项之乾燥处理装置,其中该温度检测装置包含一个藉由焊接被固定至金属密封构件之热耦器,该金属密封构件被提供在固定至形成该供应线之管状体的接收螺帽以及与该接收螺帽衔接的固定螺帽之间。图式简单说明:第一图是洁净处理系统的概要平面图,依据本发明之乾燥处理装置的较佳实施例应用于其;第二图是第一图之洁净处理系统的概要侧视图;第三图是依据本发明之乾燥处理装置其较佳实施例的概要方块图;第四图(a)是依据本发明之载子气体加热器其较佳实施例的截面图,又第四图(b)是第四图(a)之载子气体加热器其主要部份的局部截面图;第五图是依据本发明之载子气体加热器其另一较佳实施例的部份放大截面图;第六图是依据本发明之蒸气产生器其实施例的截面图;第七图是展示在蒸气产生器内主要压力与乾燥气体的流速之间关系的图;第八图是依据本发明之流量控制装置其实施例的概要方块图;第九图是第八图之流量控制装置其控制阀的实施例之截面图;第十图是依据本发明之处理室其实施例的概要截面图;第十一图是举例说明依据本发明之温度检测装置其状态的截面图;第十二图是依据本发明之乾燥处理装置其另一较佳实施例的概要方块图;以及第十三图(a)是依据本发明之蒸气产生器其加热器的另一较佳实施例之截面图,又第十三图(b)是第十三图(a)之加热器其主要部份的局部截面图。
地址 日本