| 主权项 |
1.一种短波长垂直腔表面发射雷射,包含: 一具有一表面之砷磷化镓基板; 一第一镜子叠层,沈积在该砷磷化镓基板的表面上 ; 一第一覆盖区,沈积在该第一镜子叠层上; 一主动区,沈积在该第一覆盖区上; 一第二覆盖区,沈积在该主动区上; 一第二镜子叠层,沈积在该第二覆盖区上;以及 一接触区,沈积在该第二镜子叠层上。2.一种短波 长垂直腔表面发射雷射,包含: 一具有一第一表面之半导体基板; 一砷磷化镓层,沉积在该半导体基板的第一表面上 ; 一第一镜子叠层,沈积在该砷磷化镓层上; 一第一覆盖区,覆在该第一镜子叠层上; 一主动区,覆在该第一覆盖区上; 一第二覆盖区,覆在该主动区上; 一第二镜子叠层,覆在该第二覆盖区上;以及 一接触区,覆在该第二镜子叠层上。3.一种带有一 虚基板之短波长垂直腔表面发射雷射,包含: 一具有第一表面之半导体基板; 一具有一表面之渐进层,沉积在该半导体基板的第 一表面上; 一虚基板,沉积在该渐进层的表面上; 一第一镜子叠层,沈积在该虚基板上; 一第一覆盖区,覆在该第一镜子叠层上; 一主动区,覆在该第一覆盖区上; 一第二覆盖区,覆在该主动区上; 一第二镜子叠层,覆在该第二覆盖区上;以及 一接触区,覆在该第二镜子叠层上。4.一种形成短 波长垂直腔表面发射雷射内部雷射结构的方法,其 步骤包含: 提供一具有一第一表面之磷砷化镓半导体基板; 在该半导体基板的第一表面上形成一渐进层,该渐 进层包含分别为70%及30%浓度之砷及磷; 形成一沈积在该渐进层上之第一镜子叠层; 形成一覆在第一镜子叠层上之第一覆盖区; 形成一覆在该第一覆盖区上之主动区; 形成一覆在该主动区上之第二覆盖区; 形成一覆在该第二覆盖区上之第二镜子叠层;以及 形成一覆在该第二镜子叠层上之接触区。图式简 单说明: 第一图是垂直腔表面发射雷射的横剖面简图;以及 第二图的图表说明GaAs基板上晶格错合(%)、波长( 微米)、能带间隙(电子伏特)、和InP基板上晶格错 合(%)的关系。 |
