发明名称 具有复杂导电路径之离子源方块灯丝
摘要 在此揭示了一离子植入装置之离子射束源组合之灯丝平板(80)。该灯丝平板是由钨所组成,并包含了两间隔开的细缝(99,98)以一宽度通过平板。此细缝之间隙宽度本质上不可大于入射于弧状室(62)内电子所产生离子之电浆Debye长度之十倍以上。平板灯丝被放置在可离子化源材料被注射入之弧状室内。平板上包含了两导电支柱(106,108)并压入平板上之开口以将平板加热到离子化放射温度。导电支柱延伸穿过弧状室边墙之绝缘开口。
申请公布号 TW373244 申请公布日期 1999.11.01
申请号 TW086117256 申请日期 1997.11.19
申请人 伊藤公司 发明人 维多.毛利丝.本文尼斯特
分类号 H01L21/265;H01J37/30 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人 林镒珠
主权项 1.一种将电子放射使成为能量化之电浆之装置,该 装置并维持在离子源弧状室(62)内部区域,此装置 包含有: a)一导电材料(80)方块,其具有为边墙(90,92,94)所间 隔地上表面(110)及下表面(112),而当有电流流经方 块时,至少上表面或下表面之一会放射离子化电子 进入弧状室之内部区域; b)电气耦合到该方块之第一和第二导电支柱(106,108 ),以在方块两间隔开的位置之间提供一电压能量 差,并在该两间隔开的位置之间造成方块内部的电 流流动;且 c)至少一个可穿过方块宽度之细缝(96,98),其为该方 块所具有,其由方块边墙延伸而来并进入方块之内 部区域,以加长两相间隔开位置之电流路径。2.如 申请专利范围第1项所述之装置,其中,方块(80)是由 钨所制作成。3.如申请专利范围第1项所述之装置, 其中,延着定义细缝(96,98)之表面其间的间隙宽度, 不大于维持在弧状室内部区域能量化电浆之Debye 长度的十倍以上。4.如申请专利范围第1项所述之 装置,其中,该方块之上表面(110)及下表面(112)一般 为一平板,而该方块包含了两非相交细缝(96,98),其 由边墙延伸进入内部。5.如申请专利范围第4项所 述之装置,其中,该两细缝(96,98)由边墙以个别相隔 开的螺旋状架构往内延伸,并在方块的中央区域(C) 终止,形成一至少部份由两细缝所限制之螺旋状复 杂电流流通路径。6.如申请专利范围第5项所述之 装置,其中,该两细缝(96,98)对于方块(80)之共同中心 区域,以较紧的半径螺旋往内以形成一大概相同宽 度的电流路径由方块电子放射表面的外面部分到 内部部分。7.一种放射离子且使其沿着一行进路 径的离子源(10),其用于一个工件之离子射束处理, 其包含有: a)一定义离子化室(62)之结构,其室之内部是由出口 孔洞(70)做为放射离子用之出口孔洞(70)所界限,并 具有用以将可离子化材料导入室内部之入口;且 b)一被安置在室之内部之灯丝,其作为放射电子进 入室之内部之用,并离子化所述之可离子化材料, 其包含有i)一导电材料方块(80),其具有电子放射表 面,以将离子化电子提供做为流经导电材料方块之 电流;及ii)第一和第二电极(106,108),其电气耦合到 方块,以在方块上两间隔开的位置间加上一电压位 能差,并在电极间造成一电流流动;其中所述方块 定义一个或更多之间隙(96,98),其由方块的外部表 面延伸到方块的内部区域,以将相间隔开两位置之 两电极间的电流路径加长。8.一种用来将离子注 入离子化室之灯丝制作方法,其步骤包含有: a)提供一导电材料方块(80),具有通常为平面之导电 表面(110,112),以放射由边墙所界限之电子; b)通过导电材料方块之机械间隙(96,98),以在导电材 料之上产生电流流动路径;及 c)将能量化电极(106,108)安附在导电材料方块,在机 械步骤期间所定义的电流流动路径之相反端点。 图式简单说明: 第一图为离子植入器之部分离子射束源组合之示 意透视图; 第二图为离子射束源组合之剖面图; 第三图为本发明包含灯丝平板之弧状室俯视图; 第四图为由第三图中虚线4-4所指示出之平面而看 到的第三图弧状室图之部分剖面图; 第五图为第三图灯丝平板的透视图; 第六图为第三图灯丝平板的俯视图; 第七图为由第六图中虚线7-7所指示出之平面所看 到的第三图平板灯丝侧视图; 第八图为由第六图中虚线8-8所指示出之平面所看 到的第三图平板灯丝正视图; 第九图为本发明灯丝平板第二实施例的透视图; 第十图为第九图灯丝平板的俯视图; 第十一图为第十图中由虚线11-11所指示出之平面 所看到的第九图灯丝平板之侧视图;而 第十二图为第十图中由虚线12-12所指示出之平面 所看到的第九图灯丝平板之前视图。
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