| 主权项 |
1.一种制备下式I化合物的改良方法: 其中 R1为含1至4个碳原子的烷基, n为1至4, 当n为1时,E为含4至18个碳原子的直链或支链烷基; 当n为2时,E为含2至12个碳原子的直链或支链烷撑, 或者该烷撑被一至五个氧或硫原子间隔; 当n为3时,E为含3至6个碳原子的直链或支链烷三基; 当n为4时,E为季戊四醇基; 其系使相对应甲酯或乙酯与下式的烷醇或多元醇 进行反应,E-(OH)n,其中酯转移作用系在0.001至0.049莫 %锡触媒存在下(以起始甲酯或乙酯为基准)以及120 ℃至200℃进行。2.如申请专利范围第1项的方法,其 中甲酯或乙酯为3,5-二-三级丁基-4-羟基化肉桂酸 甲酯或3,5-二-三级丁基-4-羟基化肉桂酸乙酯。3.如 申请专利范围第1项的方法,其中式I化合物中,R1为 甲基或三级丁基。4.如申请专利范围第1项的方法, 其中式I化合物中,n为1,E为含8至18个碳原子的烷基 。5.如申请专利范围第4项的方法,其中E为异辛基, 月桂基或正-十八碳基。6.如申请专利范围第1项的 方法,其中式I化合物中,n为2时,E为六甲撑,-CH2CH2SCH2 CH2-或-CH2CH2OCH2CH2 OCH2CH2-。7.如申请专利范围第1项 的方法,其中式I化合物中,n为3时,E较佳为CH2C(CH2-)3 或CH3CH2C(CH2-)3。8.如申请专利范围第1项的方法,其 中触媒数量为0.005至0.02%莫耳(以起始甲酯或乙酯 为基准)。9.如申请专利范围第1项的方法,其中触 媒数量接近0.049%莫耳(以起始甲酯或乙酯为基准) 。10.如申请专利范围第1项的方法,其中锡触媒为 高单烷基锡酯,二烷基锡酯,二烷基锡氧化物,三烷 基锡氧化物或亚锡酯。11.如申请专利范围第10项 的方法,其中锡触媒为丁基锡参(2-乙基己酸酯),二 丁基锡双(2-乙基己酸酯),二丁基锡二醋酯,二丁基 锡氧化物,三辛基锡氧化物或亚锡双(20乙基己酸酯 )。12.如申请专利范围第1项的方法,其中温度为150 ℃至190℃。13.如申请专利范围第1项的方法,其中 酯转移反应进行完全之后,不从最终产物除去锡触 媒。 |
