PROCESSO PARA CONVERSAO DE UM SUBSTRATO SEMICONDUTOR PARA FORMACAO DE UM METAL REFRATARIO,PROCESSO PARA DEPOSICAO DE UMA CAMADA NAO AUTO-LIMITADORA DE UM METAL REFRATARIO SOBRE UM SUBSTRATO,PROCESSO PARA FABRICACAO DE UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR E DISPOSITIVO SEMICONDUTOR DE OXIDO DE METAL,申请号BR1989PI00699-传众专利搜索

发明名称	PROCESSO PARA CONVERSAO DE UM SUBSTRATO SEMICONDUTOR PARA FORMACAO DE UM METAL REFRATARIO,PROCESSO PARA DEPOSICAO DE UMA CAMADA NAO AUTO-LIMITADORA DE UM METAL REFRATARIO SOBRE UM SUBSTRATO,PROCESSO PARA FABRICACAO DE UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR E DISPOSITIVO SEMICONDUTOR DE OXIDO DE METAL
摘要
申请公布号	BR8900699(A)	申请公布日期	1989.10.17
申请号	BR1989PI00699	申请日期	1989.02.17
申请人	INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION	发明人	RAJIV VASANT JOSHI
分类号	C23C16/04;C23C16/14;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/336;H01L21/768;H01L29/43;H01L29/78;(IPC1-7):C23C14/16;H01L29/94	主分类号	C23C16/04
代理机构		代理人
主权项
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