| 摘要 |
<p>La présente invention concerne une chambre de traitement (15) destinée au traitement d'un substrat de semiconducteur et comprenant un support (20) de substrat, un distributeur de gaz (35) qui distribue le gaz de traitement dans la chambre de traitement, un dispositif d'activation de gaz qui active le gaz de traitement, et un échappement (60) qui évacue le gaz de traitement de la chambre de traitement. Le distributeur de gaz (35) comprend un matériau monocristallin qui lui confère une résistance à l'érosion améliorée et qui supporte des températures élevées. De préférence, le distributeur de gaz (35) est placé sur un isolant à expansion thermique (115) qui permet à certaines parties du distributeur de gaz de se dilater thermiquement dans différentes mesures. Le distributeur de gaz (35) peut également comprendre une fenêtre transparente (170) dans un matériau solide qui laisse passer un rayon lumineux, et il peut également comprendre, en face du substrat (25), une partie transparente que les émissions lumineuses provenant du gaz activé peuvent traverser sans être réfléchies sur le substrat.</p> |
