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发明名称 Vorrichtung zur Erzeugung einer MOS temperaturkompensierten Referenzspannung für niedrige Spannungen und grosse Betriebsspannungsbereiche
摘要
申请公布号 DE69323818(T2) 申请公布日期 1999.10.28
申请号 DE1993623818T 申请日期 1993.08.20
申请人 UNITED MEMORIES, INC.;NIPPON STEEL SEMICONDUCTOR CORP., TATEYAMA 发明人 CORDOBA, MICHAEL V.;HARDEE, KIM C.;BUTLER, DOUGLAS B.
分类号 H03G3/02;G05F3/24;G05F3/26;H03K19/00;(IPC1-7):G05F3/24 主分类号 H03G3/02
代理机构 代理人
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